初创公司 NEO 半导体推出 3D X-DRAM 技术

据 PR Newswire 报道，初创公司 NEO Semiconductor 表示，其 3D X-DRAM 技术可以生产 230 层的 128 Gbit DRAM 芯片——是当前 DRAM 密度的八倍。NEO 表示，3D X-DRAM 是解决由下一波 AI 应用（例如 ChatGPT）驱动的对高性能和大容量存储器半导体的需求增长所必需的。

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编译者/作者：东寻

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