三星展示3nm半导体原型比特币矿机何时能用上？

英特尔在12月中旬透露，该公司预计2029年将设计2nm和1.4nm半导体。在同一时间范围内，据报道，嘉楠耘智和比特大陆将在今年展示配备基于TSMC的5nm芯片的新挖矿设备。现在，随着三星透露已经成功创建了第一个3nm（GAAFET）原型，竞争日益激烈。三星已经证明它领先于5nm工艺，该公司希望到2030年成为最主要的芯片制造商。

在台积电（TSMC）大量投资5nm工艺的同时，三星的3nm半导体原型出现了

在2019年下半年，比特币挖矿设备制造商生产了一系列新的大算力挖矿设备。2019年的挖矿设备已经比以前的设备快了将近5倍。在发布之时，市场上最赚钱的矿机是比特大陆的Antminer S17 +，其每秒产生73TH 哈希运算的速度。阿瓦隆还拥有Avalonminer 1166，这是一台最大哈希速度为68TH / s的计算机。其他顶级挖矿设备生产商包括芯动，比特微和亿邦。市场上大多数最新的比特币挖矿设备都配备了来自两个领先铸造厂的10nm半导体或7nm定制芯片。

从左到右分别是 比特大陆的Antminer S17 +（73TH / s），Innosilicon的T3 +（52TH / s）和嘉楠耘智的Avalonminer 1166（68TH / s）

例如，比特大陆去年2月透露了其定制的7nm芯片BM1397，而嘉楠耘智的2019年机器也装有下一代半导体。消息人士称，许多挖矿公司从台积电（TSMC）获得芯片。然而，消息人士称，嘉楠耘智将同时使用台积电和三星半导体，并且有报道指出，芯动科技也利用三星芯片。12月底，地区报告声称比特大陆和嘉楠耘智都将在2020年发布配备5nm工艺的机器。TSMC在12月中旬的IEEE IEDM会议上向公众表示，该公司在5nm工艺方面处于领先地位。
本周，新闻出版物《韩国湄南河经济》报道，三星公司已经基于GAAFET设计生产了第一个3nm工艺。为了进行纳米（nm）大小比较，一根人类头发的宽度为80000-100000纳米。

同时，三星透露该公司已经生产出了全球首个基于Gate All Around（GAAFET）技术的3nm原型工艺。该工艺不同于用于创建7nm和5nm芯片的常规FinFET工艺。GAAFET表面上将硅尺寸减小了35％，并且报告强调三星3nm的性能比5nm半导体好33％。在我们最新的有关迦南和比特大陆配备5nm采矿设备的生产报告中，提到5nm芯片的性能比7nm的前代产品高15％。消息来源强调，台积电在5纳米制造方面进行了大量投资，而大多数5纳米芯片将来自台湾制造商。但是，有报道强调，苹果已经预留了台积电5纳米产能的三分之二。这意味着比特币挖矿制造商将不得不竞争剩余的供应，或寻求三星的3nm制造技术。

嘉楠耘智的早期Avalonminer芯片

5nm和3nm半导体可显着提升SHA256哈希率

本质上，7纳米（nm）和5纳米半导体尺寸之间的区别在于密度，而性能执行并不一定随晶体管尺寸而定。当缩小工艺节点时，每个世代芯片之间的性能提高通常在10％至20％之间。通常，单个比特币挖矿设备具有几百个此类芯片，并且生成的哈希运算基于芯片上的内核数量。例如，最流行的比特币矿机之一，较老的Antminer S9（14TH / s），使用了台积电（TSMC）生产的16nm FinFET半导体。较旧的每秒14 th的S9使用189个Bitmain?BM1387芯片。

比特大陆的早期Antminer芯片,旧版S9矿机（14TH / s）使用了189个16nm芯片。

在2019年，要确切地找出挖矿设备制造商使用的芯片尺寸以及单个设备使用的芯片数量要困难得多。制造商直接提供的挖矿设备规格并未详细说明每台机器中使用了多少芯片，芯片尺寸或制造半导体的铸造厂。买家现在必须等待新的挖矿设备在二级市场上进行审查，以便找出该设备的芯片尺寸以及每个矿机中包含多少个芯片。

比特币的哈希率在2020年1月1日达到了119 EH / s。配备5nm和3nm功能的比特币矿机应该会大幅提高SHA256算法全网算力。

总体而言，随着时间的流逝，比特币挖矿设备的速度会越来越快。到2018年底，单个挖矿设备的产量为25-40TH / s，现在单个单位的哈希速度超过60-73TH / s。5nm和3nm芯片的推出将继续推动蓬勃发展的比特币ASIC矿机行业，并且SHA256算法的全网算力将大大提高。比特币网络上的哈希率最近达到了每秒119 （EH / s），并且还在继续增长。借助5nm和3nm半导体以及更快的内核，最早在2020年下半年，比特币挖矿设备的性能提升可能会跃升15-33％。

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编译者/作者：彩云区块链

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